Gamintojo produkto numeris:
TSM950N10CW RPG
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM950N10CW RPG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
14934 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12892714
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM950N10CW RPG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1480 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
9W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Pagrindinio produkto numeris
TSM950
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM950N10CWRPGTR
TSM950N10CWRPGDKR
TSM950N10CWRPGCT
TSM950N10CW RPGTR-DG
TSM950N10CW RPGCT-DG
TSM950N10CW RPGDKR
TSM950N10CW RPGTR
TSM950N10CW RPGDKR-DG
TSM950N10CW RPGCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM680P06CZ C0G
MOSFET P-CH 60V 18A TO220
TSM300NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
IRF710S
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
